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1100℃高壓(1.2MPa)液相外延單晶生長爐&手套箱系統(tǒng)
型號:
HP1100X-LPEGB
產(chǎn)品概述:
HP1100X-LPEGB結(jié)合了液相外延單晶生長爐和手套箱系統(tǒng),可在氣氛保護環(huán)境下裝配材料和進行單晶生長。設(shè)備可在高溫(700℃)高壓(1.2MPa)環(huán)境下進行液相外延單晶生長。此款設(shè)備特別適合用于生長HgCdTe(MCT)和其他單晶薄膜。
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設(shè)備結(jié)構(gòu)

·三溫區(qū)立式加熱爐,最高溫度1100℃

·配有高純石墨坩堝和石墨樣品臺

·腔室頂蓋自動打開,位于手套箱內(nèi),方便樣品和支架更換

·手套箱內(nèi)部裝有自動移動架和大型轉(zhuǎn)移室自動門,便于樣品更換和放置


電源要求

·單相AC 220V 50/60HZ

·最大功率6 kW 


加熱元件

·電阻絲


工作溫度

·最高工作溫度:1100oC (< 1 hr.)

·連續(xù)工作溫度1000oC

·建議升溫速率≤10°C/min 


加熱區(qū)

·150mm+200mm+150mm (3個加熱區(qū)獨立控制)

·恒溫區(qū)長度: ≥ 170mm 

·恒溫區(qū)中的溫度均勻性: 400-600°C ±3°C

                600-900°C ±0.5°C


晶體生長

·最大基材尺寸:≤60*60mm

·每批基板數(shù)量:≤3片

·上拉機構(gòu)行程:100mm

·上拉速度范圍:0.05mm/h -10mm/h

·拉桿旋轉(zhuǎn)速度范圍:1-10rpm


高壓腔體

·SS304不銹鋼

·腔室尺寸:φ370mm(外腔)*φ350mm(內(nèi)腔)*1200mm

·最大壓力:1.2 MPa(≤700℃)

·流動氣氛下恒壓控制,壓力控制精度:±1%

·進氣口配有質(zhì)量流量控制器,進氣流量計量程:1000sccm

·壓力傳感器安裝在腔室頂蓋上,實時監(jiān)測內(nèi)部壓力變化

·電磁安全閥與機械安全閥雙重安全保護


手套箱系統(tǒng)

·電源:220VAC, 50/60Hz,單相

·功率:2KW

·腔室材料:304不銹鋼

·前后開口鋼化安全玻璃窗設(shè)計

·有效內(nèi)部尺寸:1200*800*1200mm(長*寬*高)

·在手套箱箱體頂部安裝滑動料盤接口:機箱背面有4個KF40接口

·2個過渡倉:

·大過渡倉尺寸:Φ360mm ID ×長度600mm

·小過渡倉尺寸:Φ150mm ID ×長度300mm

·滑動托盤內(nèi)安裝有大型自動門傳送室

·最大真空度:100Pa

·丁基橡膠手套尺寸:Φ203mm × 813mm

·循環(huán)工作氣體:N2、Ar、He

·鼓風量:90m3/h

·觸摸屏PLC控制,自動再生

·再生氣體:混合氫氣的工作氣體(氫氣5%-10%)

·標配240L/min抽速雙極旋片機械泵,泵出口處安裝油霧過濾器


溫度和壓力控制系統(tǒng)

·PID自動溫度控制系統(tǒng)

·溫度控制精度:±0.1°C

·熱電偶:K型

·觸摸屏控制三個獨立的溫度區(qū)域控制器

·加熱曲線可以在觸摸屏上查看,保存和導出

·壓力可以在觸摸屏上設(shè)置

·內(nèi)腔壓力實時顯示

·真空泵和真空閥可通過觸摸屏控制


真空系統(tǒng)

·泵送速率:6l /S

·極限壓力:4*10-1Pa(無負載,僅機械泵)

·額定功率:1500w


產(chǎn)品尺寸

·泵送速率:6l /S

·極限壓力:4*10-1Pa(無負載,僅機械泵)

·額定功率:1500w


產(chǎn)品重量

·~500kg


應用注意

·本設(shè)備正常工作溫度可達1000℃,最大壓力1.2MPa(高純氬氣環(huán)境下)。操作時請勿超過溫度或壓力限制

·不要引入腐蝕性氣體,如氯化物或硫化物,因為它們可能損壞組件

·待爐溫恢復到室溫后再打開爐蓋。樣品可能仍處于高溫狀態(tài),請小心操作,并使用手套或其他工具


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