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C晶體
- 產(chǎn)品概述：
- CVD金剛石是用化學(xué)氣相沉積方法制備的金剛石。在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，通常將純凈的甲烷、氫氣等氣體通入設(shè)備反應(yīng)容器內(nèi)，通過(guò)條件控制，碳原子被分解并在基板表面沉積形成晶體結(jié)構(gòu)，最終形成人造金剛石。這種方法合成金剛石通常具有高純度、均勻性和可控性。不同于天然金剛石和高溫高壓法(HPHT)制備的金剛石，CVD更適合制備大面積金剛石晶體、晶圓和薄膜，應(yīng)用于光學(xué)、散熱、量子信息、半導(dǎo)體等工業(yè)、科研領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 電子級(jí)單晶金剛石參數(shù)表
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電子性能 | 數(shù)據(jù) | 折射率（590nm）
| 2.4
| 電子遷移率(cm2/V.S) | 4500 | 空六遷移率(m2N S) | 3800 | 含量 (EPR測(cè)得) | <5ppb | 硼含量 | <1ppb |
電子性能 | 數(shù)據(jù) | 電阻率(2.cm) | >100 | 介電常數(shù) | 5.5 | 介電損耗 | <2x104 |
熱學(xué)性能 | 數(shù)據(jù) | 熱導(dǎo)率(300KWm:K) | 1000~2200 | 熱膨脹系數(shù)(x10-rC) | 1(室溫) |
機(jī)械性能 | 數(shù)據(jù) | 斷裂強(qiáng)度 | 2.5-3GPa | 斷裂韌性(MPam') | 1~8 | | 楊氏模量 | 1050GPa | | 硬度 | 70~120 GPa | | 摩擦系數(shù) | 0.1 |
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| 檢測(cè)
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| 品名規(guī)格 | 實(shí)驗(yàn)室培育金剛石 | 尺寸規(guī)格 | 10mm*10mm*0.4m | 工藝方法 | MPCVD | 外觀標(biāo)準(zhǔn) | 清晰無(wú)雜質(zhì) |
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 檢測(cè)工具/結(jié)果 | 判定OK/NG | 備注 | 1 | 長(zhǎng)*寬 | 卡尺 |
| 0K |
| 2 | 橫向公差 |
| +0.2/--0mm |
|
| 3 | 厚度尺寸 | 卡尺 | >0.3mm | 0K |
| 4 | 厚度尺寸 |
| +0.01/-0.02mm |
|
| 5 | 表面切痕 | 目測(cè) | 無(wú) | 0K |
| 6 | NV值檢測(cè) | 拉曼光譜儀 | 2,2 | 0K |
| 7 | 多晶檢測(cè) | 60倍被光鏡 | 無(wú) | 0K |
| 8 | 透光性 | 強(qiáng)光手電 | 能穿透 | 0K |
| 9 | 重量 | 電子秤 | 0.10g | 0K |
| 10 | 摻雜量 | N、B | 無(wú)
| N/A
|
| 11 | 晶體學(xué) | 通常100%單扇區(qū)(100) | 0K |
| 12 | 橫向尺寸測(cè)量 | 向較小的一側(cè) | 0K |
| 13 | 邊緣、邊緣 | 激光切割，邊緣 | 0K |
| 14 | 面朝向 | (100)大面朝向 | 0K |
| 15 | 邊緣激光切0 | 3°
| 0K |
| 16 | 第12面粗拋光糙度，Ra | 拋光，Ra<30nm | 0K |
|
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