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WS2二硫化鎢
- 產(chǎn)品概述：
- 應用于半導體電子器件、光學器件等研究。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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WS2二硫化鎢
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| 技術參數(shù)
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類型： | CVD法人工合成 | 純度： | >99.99％ | 外觀： | 黑色 | 電導： | 半導體 | 帶隙： | 單層直接帶隙 約2.0 eV | 常規(guī)尺寸： | ~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 | | 晶體結構： | 六方晶系 | | 晶體常數(shù)： | a=3.15? c=12.27? α=β=90° γ=120° | | 生長方法： | 分子外延， 化學氣相沉積 |
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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